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Es wird allgemein erwartet, dass Bauelemente mit großer Bandlücke (Wide Bandgap), die Transistoren aus Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) verwenden, die herkömmlichen Leistungs-MOSFETs und IGBTs auf Siliziumbasis in der Leistungselektronik und Motorsteuerung weitgehend ersetzen werden, da sie höhere Schaltgeschwindigkeiten und geringere Leistungsverluste aufweisen. Neue Stromrichterdesigns, die auf SiC- und GaN-MOSFETs basieren, erfordern ein sorgfältiges Design und Testen, um die Leistung zu optimieren.
Diese Testlösung vereinfacht die Analyse von Systemen mit großen Bandlücken und ermöglicht Teams die schnelle Messung wichtiger WBG-DPT-Parameter.
Welche Lösung ist die richtige für Sie? Unsere Experten unterstützen Sie bei der Auswahl, dass es zu Ihnen und Ihrer Messaufgabe passt. Wir freuen uns auf Ihre Kontaktaufnahme.